1. 新消费日报首页
  2. 科技

0.48毫欧、十亿分之一失效率：安世中国车规MOSFET的硬核答卷

新消费日报网 • 文章来源: 网络 • • 科技

在车规功率器件领域，导通内阻和失效率是两条生命线。安世中国最新车规MOSFET，40V导通内阻最低做到0.48毫欧，较上代优化超50%；80V最低1.3毫欧，下降45%；100V低至0.99毫欧，可实现460A以上安全电流。全系列失效率控制在十亿分之一（PPB）级别，2000小时温度循环板级可靠性行业领先。 [资料]

这背后，是12英寸车规高压MOSFET的空白填补。安世中国推出的12英寸SGT T2X车规MOSFET与高速HCS逻辑，填补了12寸车规高压MOSFET的空白，已发布19款40到100V车规MOSFET，产品矩阵覆盖整车低压电气平台的完整国产替代需求。

技术领先必然带来成本领先。12英寸晶圆单片有效芯片产出相对5寸提升约5.7倍、相对6寸约4倍、相对8寸约2.2到2.4倍；单颗芯片成本相比5寸下降约70%、相比6寸下降约60%、相比8寸下降50%。成本下降来自规模效应、全自动化良率提升与供应链本土化三个环节。

同时，MOSFET已实现中国区供应链闭环，国产化率从不足20%提升至近100%，国产晶圆本土直供、主供加备选双源保障，交期从海外12到16周缩至国内4到6周。

对车企而言，一颗颗PPB级别的MOSFET，意味着整车电气架构的稳定与安全；对安世中国而言，19款车规产品、十亿分之一的失效率，是国产功率器件从”能用”走向”好用”最硬的注脚。

免责声明

               

本站转载的文章，版权归原作者所有；旨在传递信息，不代表本站的观点和立场。不对内容真实性负责，仅供用户参考之用，不构成任何投资、使用等行为的建议。如果发现有问题，请联系我们处理。

本站提供的草稿箱预览链接仅用于内容创作者内部测试及协作沟通，不构成正式发布内容。预览链接包含的图文、数据等内容均为未定稿版本，可能存在错误、遗漏或临时性修改，用户不得将其作为决策依据或对外传播。

因预览链接内容不准确、失效或第三方不当使用导致的直接或间接损失（包括但不限于数据错误、商业风险、法律纠纷等），本网站不承担赔偿责任。用户通过预览链接访问第三方资源（如嵌入的图片、外链等），需自行承担相关风险，本网站不对其安全性、合法性负责。

禁止将预览链接用于商业推广、侵权传播或违反公序良俗的行为，违者需自行承担法律责任。如发现预览链接内容涉及侵权或违规，用户应立即停止使用并通过网站指定渠道提交删除请求。

本声明受中华人民共和国法律管辖，争议解决以本网站所在地法院为管辖法院。本网站保留修改免责声明的权利，修改后的声明将同步更新至预览链接页面，用户继续使用即视为接受新条款。

赞 (0)
新消费日报网的头像新消费日报网
0 0
上一篇 13小时前
下一篇 1小时前

相关推荐

资料